Оперативная память 4GB DDR4 2666MHz AMD (R744G2606U1S-U) RTL
Есть в наличии
2 600
руб.
Вес:
0
кг.
Артикул:
510072
Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz AMD (R744G2606U1S-U) RTL - это надежное и быстродействующее устройство, которое обеспечит стабильную работу вашего компьютера. Этот модуль памяти имеет форм-фактор DIMM, что делает его совместимым с большинством современных настольных компьютеров.
Тип памяти DDR4 обеспечивает высокую производительность и энергоэффективность, что делает этот модуль идеальным выбором для тех, кто ценит качество и быстродействие. Объем памяти 4 Гб позволит вам запускать множество приложений одновременно без замедления работы компьютера.
Тактовая частота 2666 МГц обеспечивает быструю передачу данных и высокую скорость работы системы. Пропускная способность 21300 Мб/с позволит вам эффективно обрабатывать большие объемы информации без задержек.
Характеристики CAS Latency (CL) 16, RAS to CAS Delay (tRCD) 18, Row Precharge Delay (tRP) 18 и Activate to Precharge Delay (tRAS) 35 гарантируют стабильную и надежную работу модуля памяти без сбоев.
Система охлаждения отсутствует, что делает этот модуль памяти идеальным выбором для тех, кто ищет надежное и эффективное устройство без лишних дополнительных элементов.
Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz AMD (R744G2606U1S-U) RTL - это отличное решение для тех, кто ценит качество, производительность и надежность. Улучшите работу вашего компьютера с этим модулем памяти и наслаждайтесь быстрым и эффективным функционированием вашей системы.
Тип памяти DDR4 обеспечивает высокую производительность и энергоэффективность, что делает этот модуль идеальным выбором для тех, кто ценит качество и быстродействие. Объем памяти 4 Гб позволит вам запускать множество приложений одновременно без замедления работы компьютера.
Тактовая частота 2666 МГц обеспечивает быструю передачу данных и высокую скорость работы системы. Пропускная способность 21300 Мб/с позволит вам эффективно обрабатывать большие объемы информации без задержек.
Характеристики CAS Latency (CL) 16, RAS to CAS Delay (tRCD) 18, Row Precharge Delay (tRP) 18 и Activate to Precharge Delay (tRAS) 35 гарантируют стабильную и надежную работу модуля памяти без сбоев.
Система охлаждения отсутствует, что делает этот модуль памяти идеальным выбором для тех, кто ищет надежное и эффективное устройство без лишних дополнительных элементов.
Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz AMD (R744G2606U1S-U) RTL - это отличное решение для тех, кто ценит качество, производительность и надежность. Улучшите работу вашего компьютера с этим модулем памяти и наслаждайтесь быстрым и эффективным функционированием вашей системы.
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)35
-
CAS Latency (CL)16
-
RAS to CAS Delay (tRCD)18
-
Row Precharge Delay (tRP)18
-
Гарантия24 мес.
-
Код производителяR744G2606U1S-U
-
Количество модулей в комплекте1
-
Напряжение питания1.2
-
Объём одного модуля4 ГБ
-
Объём памяти4 ГБ
-
ПроизводительAMD
-
Пропускная способность21300
-
Сайт производителяwww.amd.com
-
Система охлаждениянет
-
Тактовая частота2666
-
Тип памятиDDR4
-
Форм-факторDIMM
-
Цвета, использованные в оформлениичёрный
Похожие товары
}} "Оперативная память 8GB DDR-III 1600MHz AMD SO-DIMM (R538G1601S2S-U) RTL 510312")
}} "Оперативная память 4GB DDR-III 1600MHz AMD (R534G1601U1SL-U) 510279")
}} "Оперативная память 16GB DDR4 3200MHz AMD SO-DIMM (R9416G3206S2S-U) 509925")
}} "Оперативная память 8GB DDR5 4800MHz AMD SO-DIMM (R558G4800S1S-U) 510431")
}} "Оперативная память 16GB DDR4 3200MHz AMD (R9S416G3206U2S) 510492")
}} "Оперативная память 4GB DDR-III 1600MHz AMD SO-DIMM (R534G1601S1S-U) OEM 510280")
}} "Оперативная память 8GB DDR4 2666MHz AMD (R748G2606U2S-UO) OEM 510024")
}} "Оперативная память 32GB DDR4 3200MHz AMD Radeon R9 Gamer (R9432G3206U2S-U) 510604")
}} "Оперативная память 16GB DDR4 2666MHz AMD (R7S416G2606U2S) 510460")